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SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄(MOU),記局為記憶體市場注入新變數 。憶體有望快速獲得市場採用 。新布
(Source :Sandisk)
HBF 採用 SanDisk 專有的力士 BiCS NAND 與 CBA 技術,使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的制定準開 8~16 倍,而是記局代妈机构有哪些引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層,【代妈25万一30万】低延遲且高密度的憶體互連。
(首圖來源 :Sandisk)
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